速度竞赛 三款256GB高端固态硬盘大比拼

随着闪存颗粒价格的下调，固态硬盘的售价也是一路走低。目前，固态硬盘的普及率不仅明显提升，普及形态也有所进化。128GB容量已成为人们的首选目标，64GB产品逐渐退居二线。毫无疑问，与内存类似，随着生产工艺的进步，更大容量的固态硬盘如256GB将成为人们接下来的关注重点。与128GB相比，256GB不仅将带来更大的可用空间，还能凭借采用性能更加优秀的闪存颗粒，获得更快的传输速度，成为消费级固态硬盘中的性能之王。接下来，就请随我们一起来抢鲜体验这三款高端256GB固态硬盘的极致速度。

OCZ Vertex 4 256GB固态硬盘

采用65nm工艺生产的Indilinx Everest 2主控芯片，其内部核心是一颗400MHz频率的双核、八通道ARM控制器，支持SATA 6Gb/s接口规范，以及大2TB容量。其标称大读写IOPS次数分别可达90000 IOPS与85000 IOPS。这颗主控芯片的硬件部分由Marvell设计制造，而OCZ收购的原Indilinx主控团队则主要负责固件的编写。

采用编号为“29F16B08JCME3”的128Gb Intel 25nm NAND MLC同步颗粒(可擦写次数为5000次)，一次可以执行两条指令；128GB固态硬盘为节省成本，一般采用64Gb异步颗粒，一次只能执行一条指令，因此性能更差。

配备来自美光的DDR3 800缓存颗粒，正反两面共有两颗组成了512MB的容量规格。额外的缓存容量可以大幅提高SSD的读写效率与读写速度。主控芯片会将所需数据暂存于缓存中，可以使其传输性能发挥到极致。

浦科特PX-256M3P 256GB固态硬盘

Marvell 88SS9174是固态硬盘中常用的一款SATA 6Gb/s主控芯片，而这款BLD2版本的Marvell 88SS9174尽管仍采用8通道设计，但在传输速度、IOPS性能指标上却较早期产品有所提升，并具备使用25nm MLC NAND闪存颗粒的能力。PX-256M3P的标称随机4KB读写IOPS分别达到75000 IOPS与68000 IOPS，大幅领先于读写IOPS分别为56000 IOPS、30000 IOPS，采用Marvell 88SS9174-BKK2主控的浦科特M3系列。

PCB一面只有一颗主控芯片，秘密就在于这款SSD的闪存颗粒仅有8颗。它采用了24nm东芝256Gb Toggle DDR闪存颗粒(可擦写次数为5000次)，其价格昂贵，一般只用于高端产品。

使用两颗南亚NT5CB128M16BP-CG DDR3内存颗粒作为缓存，其运行频率为DDR3 1333 CL9，两颗共同组成16bit位宽、512MB容量的配置。

三星830系列256GB固态硬盘

采用三星自己研发的S4LJ204X01三核Cortex A9系列ARM处理器，它支持SATA 6Gb/s标准，支持Trim、NCQ和垃圾回收功能，理论读写速度分别为520MB/s和400MB/s，其标称随机4KB高读写IOPS分别达到80000 IOPS与36000 IOPS。总体来看，其写入IOPS明显偏低。目前，这款主控芯片仅在三星的固态硬盘上使用。

背面比浦科特SSD还要干净，没有任何芯片，只有布线。这得益于它紧凑的正面布局，8颗闪存颗粒、一颗缓存芯片及一颗主控芯片全部设计在正面。它的闪存芯片采用三星27nm Toggle DDR，其可擦写次数为3000次。

作为存储业界的上游厂商，三星拥有其他厂商无法匹敌的资源优势。可以看到，就连这款固态硬盘的缓存，采用的也是三星自家的DDR2 800内存颗粒，不过其容量稍小，只有256MB。